网站首页 公司简介 产品展示 新闻动态 人才招聘 在线留言   联系我们
  半导体晶片
  实验设备
  溅射靶材
  实验耗材
 
  您现在的位置:默尔森半导体 > 产品展示
 
 
点击看大图  
2英寸自支撑GaN衬底  
·详细描述  

2英寸自支撑氮化镓衬底
2” Free-Standing GaN Substrates
 
性能参数Specifications:

产品型号Item
GaN-FS-N
GaN-FS-SI
尺寸Dimensions
Ф 50.8mm ± 1mm
厚度 Thickness
300 ± 25 µm
有效面积Useable Surface Area
LD Level
> 90%
LED Level
> 78%
晶体取向Orientation
C-axis(0001) ± 0.5°
主定位边Orientation Flat
(1-100) ± 0.5°, 16.0 ± 1.0mm
次定位边Secondary Orientation Flat
(11-20) ± 3°, 8.0 ± 1.0mm
TTV(Total Thickness Variation)
15 µm
弯曲度BOW
20 µm
导电类型Conduction Type
N-type
Semi-Insulating
电阻率Resistivity(300K)
< 0.5 Ω·cm
>106 Ω·cm
位错密度Dislocation Density
Less than 5x106 cm-2
抛光Polishing
Front Surface: Ra < 0.2nm. Epi-ready polished
Back Surface: Fine ground
包装Package
Packaged in a class 100 clean room environment, in single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

更新时间:2016/10/12
 
Copyright(C)2016-2017  苏州默尔森半导体科技有限公司  版权所有
地址:江苏省苏州市工业园区顺达商业广场1幢527室  QQ:2910389905  邮编:215024
律师声明:本网站版式设计及所有图片一律不得转载,违者必究