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2英寸GaN厚膜衬底  
·详细描述  

2英寸氮化镓厚膜晶片
2” GaN Templates
 
                                         性能参数Specifications:

产品型号Item
GaN-T-N
GaN-T-S
GaN-T-P
尺寸Dimensions
Ф 2”
厚度Thickness
4 µm, 10~40 µm
30 µm, 90 µm
5 µm
晶体取向Orientation
C-axis(0001) ± 1°
导电类型Conduction Type
N-type
Semi-Insulating
P-type
电阻率Resistivity(300K)
< 0.05 Ω·cm
106 Ω·cm
< 0.05 Ω·cm
位错密度Dislocation Density
Less than 1x108 cm-2
衬底结构Substrate structure
Thick GaN on Sapphire(0001)
有效面积Useable Surface Area
> 90%
抛光Polishing
Standard: SSP
Option: DSP
包装Package
Packaged in a class 100 clean room environment, in cassettes of 25pcs or single wafer containers, under a nitrogen atmosphere.

 

更新时间:2016/10/13
 
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