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2英寸InP衬底  
·详细描述  

                           InP单晶片主要参数指标       
  掺杂 导电类型 载流子浓度(cm-3

 迁移率(cm2V-1s-1

   电阻(Ω.cm) 位错(cm-2
  非掺   N-型     ≤3×1016   (3.5-4)×103      ≤1000
  掺S   N-型 (0.8-6)×1018 1.5-3.5)×103   ≤5000/≤500
  掺Zn   P-型 (0.6-6)×1018        50-70      ≤5000
  掺Fe   SI         >2000 >1×10    ≤5000
 加工技术参数
      规格        2英寸        3英寸         4英寸
    直径(mm)     50.8±0.5      76.2±0.5      100.0±0.5
    厚度(μm)      350±25       600±25       625±25
     晶向 (100)/(111)±0.5°
 主定位边长(mm)       16±2         22±2        32.5±2
 副定位边长(mm)       8±1         11±1        18±1
 平整度TTV(μm)       <10         <10         <15
 弯曲度Bow(μm)       <10         <10         <15
 翘曲度Warp(μm)       <15         <15         <15
                           其他产品参数可按照客户要求定制

         

更新时间:2016/10/13
 
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